DH-PECVD 等離子增強管式爐
為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng)，因而這種 CVD 稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）。
輝光放電等離子體中：電子密度高 10 9 -10 12 /cm, 電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出 10-100倍。
主要技術(shù)指標
上一個：手套箱蒸鍍 / 濺射一體機
為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng)，因而這種 CVD 稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）。
輝光放電等離子體中：電子密度高 10 9 -10 12 /cm, 電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出 10-100倍。
主要技術(shù)指標
